1. Độ dẫn nhiệt cao: Độ dẫn nhiệt của silicon carbide cao hơn đáng kể so với vật liệu silicon truyền thống, có thể tản nhiệt hiệu quả trong môi trường nhiệt độ cao và giảm ứng suất nhiệt.
2. Điện áp đánh thủng cao: Điện áp đánh thủng của silicon carbide gấp 10 lần so với silicon, phù hợp cho các ứng dụng điện áp cao, giảm dòng rò rỉ và cải thiện độ tin cậy của thiết bị.
3. Độ cứng và khả năng chống mài mòn cao: Độ cứng Mohs của silicon carbide lên tới 9,5, đây là vật liệu chống mài mòn tuyệt vời, thích hợp để chế tạo các bộ phận chống mài mòn.
3.
Độ ổn định hóa học: Có khả năng chịu dung môi axit và kiềm tốt, thích hợp sử dụng trong môi trường hóa chất khắc nghiệt.
4. Đặc tính băng thông rộng: Thích hợp cho điều kiện làm việc tần số cao, điện áp cao và nhiệt độ cao, vượt trội hơn so với chất bán dẫn truyền thống dựa trên silicon.